Los chicos de Samsung continúan siendo mejores, y no solo por el Samsung Galaxy S7 sino por presentar la primera memoria flash de 256 GB que está basada en UFS 2.0. ¿Qué nos ofrece? Todo lo mejor que nos podemos imaginar, con más capacidad, una velocidad de transferencia alta y tamaño reducido. Te contamos de qué va lo nuevo de Samsung, porque como ves, no tiene desperdicio alguno:
Samsung apuesta por 256 GB de almacenamiento interno
Esta memoria flash de 256 GB ideada por los chicos de Samsung sorprende por las siguientes características:
- Alta velocidad de transferencia (850 MB/s).
- Mayor capacidad de almacenamiento.
- Más pequeña de tamaño físico.
- Vendrán en los próximos smartphones.
- Gama alta.
¿Qué diferencias notamos respecto a lo actual? Con decirte que pueden doblar la velocidad de a lo que estamos acostumbrados, ya te lo puedes imaginar todo. Es capaz de gestionar hasta 45.000 operaciones /s de E/S. Y hablamos de una velocidad de escritura de 260 MB/s.
USB 3.0 ayudará también a que todas las operaciones se efectúen en menos tiempo. Una gran noticia sin duda que nos confirma que el próximo terminal de Samsung tope de gama tendrá 256 GB de memoria interna.
¿Cuándo se hará este sueño realidad?
Los chicos de Samsung han trabajado duro para que esto sea posible. Esta memoria supera a lo que estamos acostumbrados a ver, y con creces. Tanto es así, que la surcoreana nos ha contado en su pagina oficial que lo veremos en el Galaxy S8. Más bien, en su smartphone tope de gama de la próximo generación. Es decir, que tendríamos que esperar todavía un año, concretamente al MWC de 2017. Aunque quien sabe si lo veremos ya en verano, todo puede pasar.
Ya te adelanto que si es así va a volar. Tendremos un terminal de verdad. Y no echaremos nada en falta la microSD. Tendremos más velocidad y seguridad.
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